STM32H750启动和内存优化(分散加载修改)

作者 : admin 本文共1981个字,预计阅读时间需要5分钟 发布时间: 2024-06-10 共2人阅读

前些日子有个朋友一直给我推荐STM32H750这款芯片,说它的性价比,说它多么多么好。于是乎,这两天试了试,嚯,真香!我们先看看基本配置
STM32H750启动和内存优化(分散加载修改)插图
STM32H750启动和内存优化(分散加载修改)插图(1)

这里简单总结下,cortex-m7内核,128k片内flash ,1M RAM,淘宝价格十几块,瞬间感觉1052没那么香了(价格二十多)。关键这个价格几乎跟imxrt1011差不多了,而1011只有128K RAM,无片内flash,导致做不了很复杂的项目。除此之外h750还能拓展出32bit sdram这点相比1052的16bit性能也进一步加强。好了,本章不是介绍h750性能多强的,主要介绍,上手h750后,ram 和 rom如何高效利用起来。

内存分布

先看看系统的ram分布结构STM32H750启动和内存优化(分散加载修改)插图(2)
STM32H750启动和内存优化(分散加载修改)插图(3)

内存设备地址区间大小
ITCM0x0000_0000~0x0000_FFFF64K
DTCM0x2000_0000~0x2001_FFFF128K
AXI SRAM (D1)0x2400_0000~0x2407_FFFF512K
SRAM1 (D2)0x3000_0000~0x3001_FFFF128K
SRAM2 (D2)0x3002_0000~0x3003_FFFF128K
SRAM3 (D2)0x3004_0000~0x3004_7FFF32K
SRAM4 (D3)0x3800_0000~0x3800_FFFF64K

结合上述矩阵图,结合其速度位宽,我们可以给这些RAM做一个优先级划分 TCM > AXI SDRAM > SRAM 1 2 3 > SRAM 4,当然像以太网和 USB 的缓冲是要求用于SRAM3中的,这类特殊外设,需要特别注意。另外我们应该尽量让代码在TCM中运行,这时候我们就需要修改其分散加载文件(也叫链接脚本)。分散加载文件,主要目的就是把想要的数据或者代码运行到指定区域,进而让系统更高效的运行。

修改启动文件

STM32H750启动和内存优化(分散加载修改)插图(4)
这里笔者将启动文件startup_stm32h750xx.s分为两段,RES_HANDLER 包含 Reset_Handler SystemInit__main 函数相关,OTHER_HANDLER 包含其他中断函数。将这两个段,一个就地执行,一个拷贝到tcm,除此之外链接脚本中,VECTOR_RAM 用于存放中断向量,并在main开始阶段执行拷贝

//中断向量拷贝函数 ROM 拷贝到 RAM, 更新 SCB->VTOR
void xBSP_VectorInit(void)
{
	extern uint32_t Image$$VECTOR_ROM$$Base[];
	extern uint32_t Image$$VECTOR_RAM$$Base[];
	
    void *pS = (void *)Image$$VECTOR_ROM$$Base;
    void *pT = (void *)Image$$VECTOR_RAM$$Base;
	
	uint32_t pRamVectorAddr = (uint32_t)Image$$VECTOR_RAM$$Base;
	
    memcpy(pT,pS,0x298);
	__asm("CPSID I");
	SCB->VTOR = pRamVectorAddr;
	__asm("CPSIE i");
}

int main(void)
{
	xBSP_VectorInit();
	......
}

修改后的链接脚本

如下链接脚本,代码是下载到内部flash中的,如果下载到外部QSPI flash,那直接修改成0x9000_0000即可

LR_IROM1 0x08000000 0x00020000  
{    ; load region size_region
	VECTOR_ROM 0x08000000 0x00020000  
	{  ; load address = execution address
		*.o (RESET, +First)
		*(InRoot$$Sections)
		startup_stm32h750xx.o (RES_HANDLER)
		system_stm32h7xx.o (+RO)
	}

	VECTOR_RAM 0x00000000 0x00000298 
	{
	
	}

	RW_m_text 0x00000298 0x0000fd68 
	{  ; itcm 64k
		startup_stm32h750xx.o (OTHER_HANDLER)
		.ANY (+RO)
		.ANY (+XO)
	}

	RW_DTCM 0x20000000 0x00020000  
	{  ; dtcm 128k
		.ANY (+RW +ZI)
	}

	RW_SRAM 0x24000000 0x00080000  
	{	;512k axi sram
		
	}
}
修改后的map映射STM32H750启动和内存优化(分散加载修改)插图(5)

补充:下载外部flash需要对应的下载算法,下载算法基于硬件设计(选择的IO)和flash品牌不同而有差异,所以在使用外部flash时候,需要制作其下载算法,下载算法如何制作,可以看看如下链接:

STM32H750片外Flash启动(W25Q64JVSIQ) – STM32H7 – 硬汉嵌入式论坛 – Powered by Discuz! (armbbs.cn)

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